S4D30120A
DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDES
基本情報
- 部品番号：
- S4D30120A
- パッケージング：
- -
- 包装：
- Tube
- 説明：
- DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDES
製品パラメータ
| 実装タイプ | Through Hole |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | TO-220-2 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AC |
| 動作温度 - 接合部 | -55°C ~ 175°C |
| 電圧 - DCリバース（Vr）（最大） | 1200 V |
| 電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
| 電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If | 1.8 V @ 30 A |
| テクノロジー | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| 逆回復時間（trr） | 0 ns |
| 電流 - 平均整流 (Io) | 94A |
| 容量 @ Vr, F | 2581pF @ 0V, 1MHz |