TRS40N120HB,S1Q

1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DI

メーカー: Toshiba Semiconductor and Storage 製品分類: ダイオードアレイ 数量: 1600 RoHS 状態: サポート

基本情報

部品番号:
TRS40N120HB,S1Q
パッケージング:
-
包装:
Tube
説明:
1200V40A SIC SCHOTTKY BARRIER DI

製品パラメータ

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
グレード -
認定 -
パッケージ / ケース TO-247-3
ダイオード構成 1 Pair Common Cathode
電圧 - DCリバース(Vr)(最大) 1200 V
テクノロジー SiC (Silicon Carbide) Schottky
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) 0 ns
サプライヤーデバイスパッケージ TO-247
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If 1.45 V @ 20 A
動作温度 - 接合部 175°C
電流 - 平均整流(Io)(ダイオードあたり) 51A
電流 - 逆方向リーク電流 @ Vr 130 µA @ 1200 V