A3G23H500W17SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
A3G23H500W17SR3
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF MOSFET GAN 48V NI780

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Chassis Mount
Ток (Амперы) -
Коэффициент шума -
Номинальное напряжение 125 V
Ток - Тест 300 mA
Мощность - Выход 80W
Коэффициент усиления 14.3dB
Частота 2.3GHz ~ 2.4GHz
Напряжение - Тест 48 V
Технология GaN
Конфигурация 2 N-Channel
Корпус NI-780-4S2S
Поставщик Устройство Корпус NI-780-4S2S