A3G26H200W17SR3
RF MOSFET GAN 48V NI780
Производитель:
NXP USA Inc.
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- A3G26H200W17SR3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- RF MOSFET GAN 48V NI780
Параметры продукта
| Статус детали | Obsolete |
|---|---|
| Ток (Амперы) | - |
| Конфигурация | - |
| Коэффициент шума | - |
| Номинальное напряжение | 125 V |
| Коэффициент усиления | 14.2dB |
| Напряжение - Тест | 48 V |
| Мощность - Выход | 34W |
| Ток - Тест | 120 mA |
| Технология | GaN |
| Частота | 2.496GHz ~ 2.69GHz |
| Корпус | NI-780S-4S2S |
| Поставщик Устройство Корпус | NI-780S-4S2S |