A3G26H350W17SR3

RF MOSFET GAN 48V NI780

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
A3G26H350W17SR3
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF MOSFET GAN 48V NI780

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Ток (Амперы) -
Конфигурация -
Коэффициент шума -
Номинальное напряжение 125 V
Ток - Тест 250 mA
Коэффициент усиления 13.3dB
Напряжение - Тест 48 V
Мощность - Выход 59W
Технология GaN
Частота 2.496GHz ~ 2.69GHz
Корпус NI-780S-4S2S
Поставщик Устройство Корпус NI-780S-4S2S