A5G18H610W19NR3

A5G18H610W19NR3

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
A5G18H610W19NR3
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
A5G18H610W19NR3

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
Ток (Амперы) -
Конфигурация -
Коэффициент шума -
Коэффициент усиления 16.6dB
Номинальное напряжение 125 V
Ток - Тест 300 mA
Частота 1.805GHz ~ 1.88GHz
Мощность - Выход 85W
Напряжение - Тест 48 V
Технология GaN
Корпус OM-780-4S4S
Поставщик Устройство Корпус OM-780-4S4S