A5G21H605W19NR3
RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Производитель:
NXP USA Inc.
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- A5G21H605W19NR3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- RF MOSFET LDMOS 30V ACP1230S-4
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток (Амперы) | - |
| Конфигурация | - |
| Коэффициент шума | - |
| Коэффициент усиления | 15.1dB |
| Номинальное напряжение | 125 V |
| Ток - Тест | 300 mA |
| Мощность - Выход | 85W |
| Напряжение - Тест | 48 V |
| Технология | GaN |
| Частота | 2.11GHz ~ 2.2GHz |
| Корпус | OM-780-4S4S |
| Поставщик Устройство Корпус | OM-780-4S4S |