A5G35H110NT4

RF MOSFET GAN 48V 6DFN

Производитель: NXP USA Inc. Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
A5G35H110NT4
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
RF MOSFET GAN 48V 6DFN

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Ток (Амперы) -
Конфигурация -
Коэффициент шума -
Номинальное напряжение 125 V
Ток - Тест 70 mA
Напряжение - Тест 48 V
Коэффициент усиления 15.3dB
Частота 3.3GHz ~ 3.7GHz
Технология GaN
Корпус 6-LDFN Exposed Pad
Поставщик Устройство Корпус 6-PDFN (7x6.5)
Мощность - Выход 15.1W