A5G35H120NT2
RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Производитель:
NXP USA Inc.
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- A5G35H120NT2
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- RF MOSFET GAN 48V 10DFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Ток (Амперы) | - |
| Конфигурация | - |
| Коэффициент шума | - |
| Номинальное напряжение | 125 V |
| Мощность - Выход | 18W |
| Коэффициент усиления | 14.1dB |
| Ток - Тест | 70 mA |
| Напряжение - Тест | 48 V |
| Частота | 3.3GHz ~ 3.7GHz |
| Технология | GaN |
| Корпус | 10-PowerLDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | 10-DFN (7x10) |