CC-C2-B15-0322
SiC Power MOSFET 1200V 12A
Производитель:
CoolCAD
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1605
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- CC-C2-B15-0322
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- SiC Power MOSFET 1200V 12A
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 100W (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A (Ta) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247 |
| Корпус | TO-247-4 |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.2V @ 5mA |
| Vgs (макс.) | +15V, -5V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 135mOhm @ 10A, 15V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 40 nC @ 15 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1810 pF @ 200 V |