CGD65B130SH2
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Производитель:
Cambridge GaN Devices
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
6549
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- CGD65B130SH2
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (5x6) |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 12V |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 900mA, 12V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 4.2mA |
| Vgs (макс.) | +20V, -1V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 1.9 nC @ 12 V |