CGD65B200S2-T13
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Производитель:
Cambridge GaN Devices
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
5739
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- CGD65B200S2-T13
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 8.5A (Tc) |
| Тип полевого транзистора | - |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (5x6) |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| FET Особенности | Current Sensing |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (макс.) | +20V, -1V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 9V, 20V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 600mA, 12V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.2V @ 2.75mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 1.4 nC @ 12 V |