CMS120N080B
SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Производитель:
Bruckewell
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- CMS120N080B
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- SIC N-MOSFET,1200V,35A,TO-263-7L
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 35A (Tc) |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263-7 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Корпус | TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 188W (Tc) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 10mA |
| Технология | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs (макс.) | +20V, -5V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 10A, 20V |