DMT10H072LDV-13

MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333

Производитель: Diodes Incorporated Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
DMT10H072LDV-13

Основная информация

Номер детали:
DMT10H072LDV-13
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 12A (Tc)
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
Корпус 8-PowerVDFN
Напряжение сток-исток (Vdss) 100V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 4.5nC @ 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 66mOhm @ 4.5A, 10V
Поставщик Устройство Корпус PowerDI3333-8 (Type UXC)
Мощность - Максимальная 1W (Ta)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 228pF @ 50V