DMT26M0LDG-13
MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Производитель:
Diodes Incorporated
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- DMT26M0LDG-13
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 25V 11.6A PWRDI3333
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 250µA, 2.2V @ 1mA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 11.6A (Ta), 33.8A (Tc), 20.1A (Ta), 52.6A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 13A, 10V, 2mOhm @ 27A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 15.9nC @ 10V, 57.4nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1010pF @ 13V, 4016pF @ 13V |
| Мощность - Максимальная | 1.24W (Ta) |
| Поставщик Устройство Корпус | PowerDI3333-8 (Type F) |