DMTH10H032SDVW-13
MOSFET 2N-CH 100V 6.2A PWRDI3333
Производитель:
Diodes Incorporated
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- DMTH10H032SDVW-13
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 100V 6.2A PWRDI3333
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 250µA |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 8nC @ 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 6.2A (Ta) |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 10V |
| Мощность - Максимальная | 1.4W (Ta) |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 544pF @ 50V |
| Поставщик Устройство Корпус | PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD) |