DMTH6010LPDWQ-13

MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Производитель: Diodes Incorporated Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 1600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
DMTH6010LPDWQ-13

Основная информация

Номер детали:
DMTH6010LPDWQ-13
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
Класс Automotive
Квалификация AEC-Q101
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 11mOhm @ 20A, 10V
Корпус 8-PowerTDFN
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 40.2nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2615pF @ 30V
Поставщик Устройство Корпус PowerDI5060-8 (Type UXD)
Мощность - Максимальная 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)