ECB2R8M12YM3

SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

Производитель: Wolfspeed, Inc. Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 1602 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
ECB2R8M12YM3
Упаковка:
-
Упаковка:
Box
Описание:
SIC, MODULE, 2.8M, 1200V, 152MM,

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Поставщик Устройство Корпус -
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
Технология Silicon Carbide (SiC)
Напряжение сток-исток (Vdss) 1200V (1.2kV)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 3.7mOhm @ 450A, 15V
Конфигурация 6 N-Channel (Three Phase Inverter)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 545A
Vgs(th) (макс.) при Id 3.6V @ 125mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 1272nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 38500pF @ 800V
Мощность - Максимальная 1.485kW (Tj)