EMD12FHAT2R
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- EMD12FHAT2R
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP EMT6
Параметры продукта
| Тип монтажа | Surface Mount |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | - |
| Частота - Переход | 250MHz |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 100mA |
| Мощность - Максимальная | 150mW |
| Резистор - База (R1) | 47kOhms |
| Резистор - База Эмиттера (R2) | 47kOhms |
| Тип транзистора | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Корпус | SOT-563, SOT-666 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
| Поставщик Устройство Корпус | EMT6 |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | - |