EMD30T2R
TRANS PREBIAS 1PNP 1NPN EMT6
Производитель:
ROHM Semiconductor
Категории продуктов:
Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- EMD30T2R
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- TRANS PREBIAS 1PNP 1NPN EMT6
Параметры продукта
| Тип монтажа | Surface Mount |
|---|---|
| Статус детали | Not For New Designs |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 500nA |
| Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Мощность - Максимальная | 150mW |
| Резистор - База Эмиттера (R2) | 10kOhms |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 200mA |
| Корпус | SOT-563, SOT-666 |
| Частота - Переход | 260MHz |
| Поставщик Устройство Корпус | EMT6 |
| Тип транзистора | 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 50V, 30V |
| Резистор - База (R1) | 10kOhms, 1kOhms |