EMD38T2R

TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6

Производитель: ROHM Semiconductor Категории продуктов: Биполярные транзисторные массивы, предварительно смещенные Количество: 25599 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
EMD38T2R
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Частота - Переход 250MHz
Ток отсечки коллектора (макс.) 500nA
Ток коллектора (Ic) (макс.) 100mA
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 50V
Мощность - Максимальная 150mW
Тип транзистора 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Корпус SOT-563, SOT-666
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (мин) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Поставщик Устройство Корпус EMT6
Резистор - База (R1) 1kOhms
Резистор - База Эмиттера (R2) 47kOhms, 10kOhms
Насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA / 300mV @ 500µA, 10mA