EPC2307ENGRT

TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Производитель: EPC Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 16960 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
EPC2307ENGRT
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Тип полевого транзистора N-Channel
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Напряжение сток-исток (Vdss) 200 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) -
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 5V
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 48A (Ta)
Технология GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (макс.) +6V, -4V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 4mA
Поставщик Устройство Корпус 7-QFN (3x5)
Корпус 7-PowerWQFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 10.6 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1401 pF @ 100 V