EPC2367
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Производитель:
EPC
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- EPC2367
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | - |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 5V |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 17 nC @ 5 V |
| Тип монтажа | Surface Mount, Wettable Flank |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Vgs (макс.) | +6V, -4V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 10mA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 78A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 30A, 5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2170 pF @ 50 V |
| Поставщик Устройство Корпус | 5-QFN (3.3x3.3) |
| Корпус | 5-PowerWQFN |