EPC7007BSH

GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

Производитель: EPC Space, LLC Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1650 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
EPC7007BSH
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
GAN FET HEMT 200V 18A 4UB

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
Ток (Амперы) -
Частота -
Номинальное напряжение 200 V
Поставщик Устройство Корпус 4-SMD
Коэффициент усиления -
Корпус 4-SMD, No Lead
Мощность - Выход -
Коэффициент шума -
Конфигурация N-Channel
Напряжение - Тест 100 V
Технология GaN HEMT
Ток - Тест 18 A