F411MR12W3M1HB11BPSA1
F411MR12W3M1HB11BPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1606
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- F411MR12W3M1HB11BPSA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- F411MR12W3M1HB11BPSA1
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 75A (Tj) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Конфигурация | 4 N-Channel |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6600pF @ 800V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 75A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 30mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 223nC @ 18V |