FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

Производитель: EPC Space, LLC Категории продуктов: RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1763 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
FBG10N30BC
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Класс -
Квалификация -
Ток (Амперы) -
Частота -
Номинальное напряжение 100 V
Поставщик Устройство Корпус 4-SMD
Коэффициент усиления -
Корпус 4-SMD, No Lead
Мощность - Выход -
Коэффициент шума -
Конфигурация N-Channel
Напряжение - Тест 50 V
Технология GaN HEMT
Ток - Тест 30 A