FBG20N04ASH
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Производитель:
EPC Space, LLC
Категории продуктов:
RF полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1626
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- FBG20N04ASH
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Ток (Амперы) | - |
| Частота | - |
| Номинальное напряжение | 200 V |
| Поставщик Устройство Корпус | 4-SMD |
| Коэффициент усиления | - |
| Корпус | 4-SMD, No Lead |
| Мощность - Выход | - |
| Коэффициент шума | - |
| Конфигурация | N-Channel |
| Напряжение - Тест | 100 V |
| Ток - Тест | 4 A |
| Технология | GaN HEMT |