FF150R12W2T7EB11BPSA1
FF150R12W2T7EB11BPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Категории продуктов:
Модули IGBT
Количество:
1615
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- FF150R12W2T7EB11BPSA1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- FF150R12W2T7EB11BPSA1
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Корпус | Module |
| Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) | 1200 V |
| 输入 | Standard |
| Ток коллектора (Ic) (макс.) | 135 A |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| NTC Термистор | Yes |
| IGBT Тип | Trench Field Stop |
| Мощность - Максимальная | 20 mW |
| Конфигурация | Half Bridge Inverter |
| Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 150A |
| Ток отсечки коллектора (макс.) | 11 µA |
| Входная емкость (Cies) при Vce | 30100 pF @ 25 V |