FMM7G20US60N

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Производитель: Fairchild Semiconductor Категории продуктов: Модули IGBT Количество: 1622 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
FMM7G20US60N
Упаковка:
-
Упаковка:
Bulk
Описание:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Параметры продукта

Статус детали Obsolete
Тип монтажа Through Hole
Поставщик Устройство Корпус -
Корпус Module
IGBT Тип -
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Ток коллектора (Ic) (макс.) 20 A
Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
Конфигурация Three Phase Inverter with Brake
输入 Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор Yes
Мощность - Максимальная 89 W
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 20A
Входная емкость (Cies) при Vce 1.277 nF @ 30 V