FP50R12N2T7PBPSA1

1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE

Производитель: Infineon Technologies Категории продуктов: Модули IGBT Количество: 1601 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
FP50R12N2T7PBPSA1
Упаковка:
-
Упаковка:
Tray
Описание:
1200 V, 50 A PIM IGBT MODULE

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Корпус Module
Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
Конфигурация Three Phase Inverter
Рабочая температура -40°C ~ 175°C (TJ)
输入 Three Phase Bridge Rectifier
NTC Термистор Yes
IGBT Тип Trench Field Stop
Поставщик Устройство Корпус AG-ECONO2B
Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 25A
Входная емкость (Cies) при Vce 11.1 nF @ 25 V
Ток отсечки коллектора (макс.) 4 µA