G085C03D32
MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
6570
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- G085C03D32
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET N/P-CH 30V 28A 8DFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 250µA |
| Конфигурация | N and P-Channel |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 18nC @ 10V, 25nC @ 10V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 28A (Tc), 12A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 10A, 10V, 23mOhm @ 6A, 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1085pF @ 15V, 1352pF @ 15V |
| Мощность - Максимальная | 13W (Tc), 30W (Tc) |