G120N02D32

MOSFET N+N-CH 20V 26A 15W 11M(MA

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 6580 Статус RoHS: Поддержка
PDF
G120N02D32

Основная информация

Номер детали:
G120N02D32
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
MOSFET N+N-CH 20V 26A 15W 11M(MA

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Напряжение сток-исток (Vdss) 20V
Конфигурация 2 N-Channel (Dual)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 26A (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 1.2V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 11mOhm @ 10A, 4.5V
Поставщик Устройство Корпус 8-DFN (3x3)
Корпус 8-PowerVDFN
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 24nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1120pF @ 10V
Мощность - Максимальная 15W (Tc)