G120P06T

MOSFET P-CH 60V -120A 277W TO-22

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1650 Статус RoHS: Поддержка
PDF
G120P06T

Основная информация

Номер детали:
G120P06T
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
MOSFET P-CH 60V -120A 277W TO-22

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Vgs (макс.) ±20V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss) 60 V
Vgs(th) (макс.) при Id 3V @ 250µA
Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 120A (Tc)
Рассеиваемая мощность (максимальная) 277W (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 230 nC @ 10 V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 12674 pF @ 30 V