G18NP06Y

MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 4100 Статус RoHS: Поддержка
PDF
G18NP06Y

Основная информация

Номер детали:
G18NP06Y
Упаковка:
-
Упаковка:
Tape & Reel (TR)
Описание:
MOSFET N/P-CH 60V 18A TO252-4

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 18A (Tc)
Напряжение сток-исток (Vdss) 60V
Корпус TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Конфигурация N and P-Channel, Common Drain
Поставщик Устройство Корпус TO-252-4
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 22nC @ 10V, 25nC @ 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA, 3.5V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 35mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Мощность - Максимальная 45W (Tc), 50W (Tc)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1446pF @ 30V, 2696pF @ 30V