G1K1P10TE

MOSFET P-CH 100V 24A 88W TO-220

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1650 Статус RoHS: Поддержка
PDF
G1K1P10TE

Основная информация

Номер детали:
G1K1P10TE
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
MOSFET P-CH 100V 24A 88W TO-220

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток (Vdss) 100 V
Vgs (макс.) ±20V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип полевого транзистора P-Channel
Рассеиваемая мощность (максимальная) 88W (Tc)
Vgs(th) (макс.) при Id 2.5V @ 250µA
Корпус TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 4.5V, 10V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 24A (Tc)
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 65 nC @ 10 V
Поставщик Устройство Корпус TO-252
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 110mOhm @ 15A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 3300 pF @ 50 V