G220P03D32
MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
6258
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- G220P03D32
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- MOSFET 2P-CH 30V 12A 8DFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 12A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 25nC @ 10V |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 3A, 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (3.15x3.05) Dual |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1305pF @ 15V |
| Мощность - Максимальная | 30W (Tc) |