G350N06D32
MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
11600
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- G350N06D32
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 60V 10A 8DFN
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 10A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.5V @ 250µA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 25nC @ 10V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 5A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1330pF @ 30V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (3.15x3.05) |
| Мощность - Максимальная | 20W (Tc) |