G3F34MT12K
1200V 34M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2112
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- G3F34MT12K
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 1200V 34M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Параметры продукта
| Тип монтажа | Through Hole |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 63A (Tc) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 263W (Tc) |
| Корпус | TO-247-4 |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 18V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-247-4 |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 104 nC @ 18 V |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 26A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.3V @ 18mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2418 pF @ 800 V |