G3F60MT06J-TR
650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
2186
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- G3F60MT06J-TR
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- 650V 55M TO-263-7 G3F SIC MOSFET
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Корпус | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 44A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-263-7 |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 155W (Tc) |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Vgs (макс.) | +22V, -10V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 15V, 18V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 45 nC @ 18 V |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 15A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.3V @ 7mA |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1322 pF @ 400 V |