GC085N65QF

MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247

Производитель: Goford Semiconductor Категории продуктов: Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы Количество: 1650 Статус RoHS: Поддержка

Основная информация

Номер детали:
GC085N65QF
Упаковка:
-
Упаковка:
Tube
Описание:
MOSFET N-CH 650V 40A 299W TO-247

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип полевого транзистора N-Channel
Технология MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) 10V
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 40A (Tc)
Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
Vgs (макс.) ±30V
Напряжение сток-исток (Vdss) 650 V
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 76 nC @ 10 V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.6V @ 250µA
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 85mOhm @ 21.5A, 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 2350 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (максимальная) 299W (Tc)