GC210N80FE
MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Производитель:
Goford Semiconductor
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1650
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GC210N80FE
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- MOSFET N-CH 800V ESD 17A 51W TO-
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 10V |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 17A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 50 nC @ 10 V |
| Vgs (макс.) | ±30V |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-DFN (5x6) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 51W (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.6V @ 250µA |
| Корпус | 8-PowerSMD, Flat Leads |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 8.5A, 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2200 pF @ 380 V |