GCMX003A120S3B1-N
1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Производитель:
SemiQ
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1607
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GCMX003A120S3B1-N
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Box
- Описание:
- 1200V, 3M SIC MOSFET HALF BRIDGE
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 120mA |
| Мощность - Максимальная | 2.113kW (Tc) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 625A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 300A, 20V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 1408nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 41400pF @ 800V |