GCMX005A120B3B1P
MOSFET 4N-CH 1200V 383A
Производитель:
SemiQ
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1602
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GCMX005A120B3B1P
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- MOSFET 4N-CH 1200V 383A
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 200A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 80mA |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Half Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 383A (Tc) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 927nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 23500pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 1.154kW (Tc) |