GCMX010A120B3H1P
1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Производитель:
SemiQ
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1620
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GCMX010A120B3H1P
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Box
- Описание:
- 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 201A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 40mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 428nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10900pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 600W (Tc) |