GCMX010B120S1-E1
1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Производитель:
SemiQ
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1605
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GCMX010B120S1-E1
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tube
- Описание:
- 1200V, 10M SIC MOSFET MODULE, SO
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | SOT-227-4, miniBLOC |
| Поставщик Устройство Корпус | SOT-227 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200 V |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 20V |
| Технология | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 204A (Tc) |
| Vgs (макс.) | +25V, -10V |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | 652W (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 100A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 40mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 418 nC @ 20 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 10864 pF @ 1000 V |