GCMX080A120B2H1P
MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Производитель:
SemiQ
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1608
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GCMX080A120B2H1P
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tray
- Описание:
- MOSFET 4N-CH 1200V 27A
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 27A (Tc) |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4V @ 10mA |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 20A, 20V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 56nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1362pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 119W (Tc) |