GE04MPS06E-TR
DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Категории продуктов:
Типы выпрямительных диодов
Количество:
4145
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GE04MPS06E-TR
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Cut Tape (CT)
- Описание:
- DIODE SIL CARB 650V 12A TO2522
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура - переход | -55°C ~ 175°C |
| Корпус | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Ток - Средний выпрямленный (Io) | 12A |
| Технология | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 0 ns |
| Поставщик Устройство Корпус | TO-252-2 |
| Напряжение - прямое (Vf) (макс.) при If | 1.35 V @ 4 A |
| Напряжение - постоянное обратное (Vr) (макс.) | 650 V |
| Ток - Обратная утечка при Vr | 5 µA @ 650 V |
| Емкость при Vr, Ф | 186pF @ 1V, 1MHz |