GE12160CEA3
MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Производитель:
GE Aerospace
Категории продуктов:
FET, массивы MOSFET
Количество:
1612
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GE12160CEA3
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Bulk
- Описание:
- MOSFET 2N-CH 1200V 1.425KA MODUL
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Корпус | Module |
| Поставщик Устройство Корпус | Module |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 1.425kA (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 475A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.5V @ 480mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 3744nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 90000pF @ 600V |
| Мощность - Максимальная | 3.75kW |