GPI65008DF56
GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Производитель:
GaNPower
Категории продуктов:
Однополевые транзисторы, МОП-транзисторы
Количество:
1700
Статус RoHS:
Поддержка
Основная информация
- Номер детали:
- GPI65008DF56
- Упаковка:
- -
- Упаковка:
- Tape & Reel (TR)
- Описание:
- GANFET N-CH 650V 8A DFN5X6
Параметры продукта
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Рассеиваемая мощность (максимальная) | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V |
| Корпус | Die |
| Поставщик Устройство Корпус | Die |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 8A |
| Технология | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Напряжение привода (Макс. Rds On, Мин. Rds On) | 6V |
| Vgs (макс.) | +7.5V, -12V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.4V @ 3.5mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 2.1 nC @ 6 V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 63 pF @ 400 V |