GSFQ1916

MOSFET, N+P, DUAL, 3 -2.2A, 100

Производитель: Good-Ark Semiconductor Категории продуктов: FET, массивы MOSFET Количество: 7600 Статус RoHS: Поддержка
PDF
GSFQ1916

Основная информация

Номер детали:
GSFQ1916
Упаковка:
-
Упаковка:
Cut Tape (CT)
Описание:
MOSFET, N+P, DUAL, 3 -2.2A, 100

Параметры продукта

Статус детали Active
Тип монтажа Surface Mount
Корпус 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Рабочая температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Конфигурация N and P-Channel
Поставщик Устройство Корпус 8-SOP
Напряжение сток-исток (Vdss) 100V
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 3A (Tc), 2.2A (Tc)
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 160mOhm @ 2A, 10V, 180mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 2.9V @ 250µA, 2.7V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 13.4nC @ 10V, 20nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 821pF @ 50V, 1280pF @ 50V
Мощность - Максимальная 2.3W (Tc)